Samsung aumenterà la produzione di memoria HBM4 e HBM4E del doppio

Samsung prevede di raddoppiare la produzione di memoria di prossima generazione HBM4 e HBM4E di più del doppio nel corso del prossimo anno. La decisione è dettata dalla forte crescita della domanda di componenti per calcoli ad alte prestazioni e apprendimento di reti neurali.

Il fattore chiave dell'espansione della capacità produttiva è stato il 2,5 volte aumento della domanda di supporti in vetro (glass carriers), necessari per la disposizione multistrato dei chip di memoria. L'utilizzo di tali supporti consente di aumentare la densità di disposizione dei cristalli e di migliorare le caratteristiche termiche dei moduli, cosa critica per il funzionamento con i moderni acceleratori grafici.

La strategia produttiva dell'azienda è finalizzata a soddisfare le esigenze dei produttori di chip AI, che stanno passando alle architetture con supporto HBM4. Il passaggio ai nuovi standard di memoria garantisce una maggiore larghezza di banda ed efficienza energetica rispetto alla generazione attuale HBM3E, che rappresenta un collo di bottiglia nella scalabilità dei cluster per l'apprendimento di grandi modelli linguistici.

Al momento attuale, il mercato HBM rimane uno dei segmenti più carenti dell'industria dei semiconduttori. L'aumento della produzione consentirà all'azienda di rafforzare la sua posizione nella catena di approvvigionamento per i principali sviluppatori di hardware AI, garantendo forniture stabili di memoria per le future generazioni di sistemi di calcolo.