Infineon освоила производство 300-мм пластин из карбида кремния

Компания Infineon объявила о технологическом прорыве в производстве силовой электроники, успешно выпустив первые в мире 300-миллиметровые пластины из карбида кремния (SiC). Переход на этот стандарт диаметра является значимым событием для отрасли, так как ранее массовое производство SiC-компонентов ограничивалось пластинами диаметром 150 мм и 200 мм.

Использование 300-мм подложек позволяет существенно повысить эффективность производственных линий и снизить себестоимость силовых полупроводников. Карбид кремния обладает более высокой теплопроводностью и эффективностью по сравнению с традиционным кремнием, что делает его ключевым материалом для создания мощных систем питания, необходимых в современных дата-центрах и инфраструктуре для обучения нейросетей.

Технология производства на пластинах большего диаметра обеспечивает увеличение количества чипов, получаемых с одной подложки, что критически важно для удовлетворения растущего спроса на энергоэффективные компоненты. Разработка была реализована на производственных мощностях компании, где были решены сложные инженерные задачи, связанные с хрупкостью и специфическими свойствами кристаллической структуры карбида кремния.

Для производителей оборудования и операторов ЦОД внедрение 300-мм SiC-пластин означает возможность создания более компактных и энергоэффективных систем преобразования энергии. Это изменение напрямую влияет на масштабируемость аппаратных ускорителей, позволяя снизить потери энергии при передаче питания к графическим процессорам и другим вычислительным узлам, работающим под высокой нагрузкой.