Infineon ha avviato la produzione di wafer da 300 mm in carburo di silicio

L'azienda Infineon ha annunciato una svolta tecnologica nella produzione di elettronica di potenza, avendo prodotto con successo i primi wafer da 300 millimetri in carburo di silicio (SiC) al mondo. Il passaggio a questo standard di diametro rappresenta un evento significativo per il settore, poiché in precedenza la produzione di massa di componenti in SiC era limitata a wafer con diametro di 150 mm e 200 mm.

L'utilizzo di substrati da 300 mm consente di aumentare significativamente l'efficienza delle linee di produzione e di ridurre i costi dei semiconduttori di potenza. Il carburo di silicio possiede una conducibilità termica e un'efficienza superiori rispetto al silicio tradizionale, il che lo rende un materiale chiave per la creazione di potenti sistemi di alimentazione, necessari nei moderni data center e nelle infrastrutture per l'addestramento delle reti neurali.

La tecnologia di produzione su wafer di diametro maggiore garantisce un aumento del numero di chip ottenuti da un singolo substrato, il che è fondamentale per soddisfare la crescente domanda di componenti ad alta efficienza energetica. Lo sviluppo è stato realizzato presso gli impianti produttivi dell'azienda, dove sono state risolte complesse sfide ingegneristiche legate alla fragilità e alle proprietà specifiche della struttura cristallina del carburo di silicio.

Per i produttori di apparecchiature e gli operatori di data center, l'introduzione dei wafer in SiC da 300 mm significa la possibilità di creare sistemi di conversione dell'energia più compatti ed efficienti. Questo cambiamento influisce direttamente sulla scalabilità degli acceleratori hardware, consentendo di ridurre le perdite di energia durante la trasmissione dell'alimentazione alle GPU e ad altri nodi di calcolo che operano sotto carico elevato.