Infineon 成功掌握 300mm 碳化矽晶圓生產技術

Infineon 宣布在電力電子製造領域取得技術突破，成功生產出全球首批 300mm 碳化矽 (SiC) 晶圓。轉向此直徑標準對產業而言是一項重大里程碑，因為過去 SiC 元件的量產僅限於 150mm 和 200mm 直徑的晶圓。

使用 300mm 基板能顯著提升生產線效率並降低功率半導體的生產成本。與傳統矽相比，碳化矽具有更高的導熱性和效率，使其成為打造現代資料中心及神經網路訓練基礎設施所需之高效能電源系統的關鍵材料。

在大直徑晶圓上的生產技術能增加單片基板所產出的晶片數量，這對於滿足市場對節能元件日益增長的需求至關重要。該開發成果是在公司生產設施中實現的，並克服了與碳化矽晶體結構的脆性及特殊性質相關的複雜工程挑戰。

對於設備製造商與資料中心營運商而言，導入 300mm SiC 晶圓意味著能夠打造更輕巧、更節能的電源轉換系統。這項變革直接影響硬體加速器的可擴展性，有助於減少電力傳輸至圖形處理器及其他高負載運算節點時的能源損耗。